Главная | High-Tech | "Самсунг" создал 30 нм чипы DDR3 DRAM

"Самсунг" создал 30 нм чипы DDR3 DRAM

Размер шрифта: Decrease font Enlarge font

Ожидается, что чипы найдут применение в настольных компьютерах, лэптопах, нетбуках, серверах и мобильных устройствах. Новый технологический процесс позволит компании оставаться лидером рынке чипов памяти еще долгое время.

ddr3_dram_22_792391703.jpgКомпании «Самсунг электроникс» впервые в мире удалось создать микросхемы DDR3 DRAM с использованием 30-нанометрового технологического процесса. Нового рубежа южнокорейская компания достигла спустя всего лишь год после освоения 40-нм технологии. Емкость представленных чипов составляет 2Гбит, а напряжение питания – 1,5 или 1,35 В. Поставляться память будет, согласно прогнозам компании, начиная со второй половины этого года в 4ГБ модулях. Ожидается, что чипы найдут применение в настольных компьютерах, лэптопах, нетбуках, серверах и мобильных устройствах.
 
DRAM – это динамическая память с произвольным доступом, используемая в качестве оперативного запоминающего устройства. Аббревиатурой DDR3 обозначают чипы DRAM с удвоенной скоростью передачи данных, третьего поколения. В 1997 году «Самсунг» первым разработал технологический стандарт DDR DRAM и с тех пор удерживает лидерство в производстве памяти данного типа.
 
Величина 30 нанометров является характеристикой технологического процесса, который используется при производстве чипов DRAM. Она означает минимальное расстояние между элементами на чипе и определяется, в первую очередь, линейным разрешением фотолитографического оборудования, применяемого для формирования микросхемы. 30-нм технологии позволяют формировать более компактные схемы, чем 40-нм и 50-нм.
 
По данным «Самсунга», переход с 40-нм на 30-нм техпроцесс позволит увеличить выход чипов DDR3 DRAM с одной подложки на 60 процентов. При этом, по оценкам компании, затраты на производство 30-нанометровой памяти DDR3 DRAM вдвое ниже, чем при использовании 50-нм или 60-нм техпроцесса. С точки зрения потребителя, преимуществом новой памяти является низкое энергопотребление: оно на 30 процентов ниже, чем у ее 50-нм аналога.
 
Следует отметить, что усовершенствование характеристик микрочипов становится всё более и более трудной задачей, так как находится на пределе возможностей существующих технологий. Тем не менее, «Самсунгу» раз за разом удается перешагнуть на новый технологический уровень, причем за короткое время.
 
Освоение 40-нм техпроцесса после 50-нанометрового заняло у компании почти два с половиной года, а для освоения 30-нм технологии понадобился всего лишь год. Благодаря этому, технологический отрыв «Самсунга» от конкурирующих производителей увеличивается. По данным самой компании, она сейчас более чем на год опережает ближайших конкурентов.
 
«Самсунг электроникс» продолжает наращивать усилия, направленные на повышение конкурентоспособности и увеличение своей доли на мировом рынке микрочипов. Новый технологический процесс позволит компании оставаться лидером рынке чипов памяти еще долгое время.
 
Автор выражает признательность пользователям ЖЖ theschmidts, keeena, frant_7, macro11 и shafir за большую помощь в написании заметки.
Добавить в: Add to your del.icio.us del.icio.us | Digg this story Digg

Subscribe to comments feed Комментарии (1 комментариев):

rado replica написал 27/06/2017 09:18:53
avatar
2014 newest hublot replica watches uk big discount, replica rado, rolex watches for sale uk free shipping, fake rado, rolex replica limited sales. you will enjoy our rolex replica for sale good substitute for the originals in the high quality shop.
Thumbs Up Thumbs Down
0
всего: 1 | отображающихся: 1 - 1

Оставьте комментарий comment

Пожалуйста, введите код, который Вы видите на картинке:

  • email Отправить другу
  • print Версия для печати
  • Plain text Текст
Теги
Теги для этой статьи отсутствуют
Оцените статью
0